买卖IC网 >> 产品目录 >> IPD50N06S3L-08 MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 7.8mOhms datasheet RF/IF 和 RFID
型号:

IPD50N06S3L-08

库存数量:246
制造商:Infineon Technologies
描述:MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 7.8mOhms
RoHS:
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 7.8mOhms
IPD50N06S3L-08 PDF下载
制造商 Infineon Technologies
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 55 V
闸/源击穿电压 +/- 16 V
漏极连续电流 50 A
电阻汲极/源极 RDS(导通) 0.0078 Ohms
配置 Single
最大工作温度 + 175 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 TO-252
封装 Reel
相关资料
供应商
公司名
电话
深圳市科翼源电子有限公司 13510998172 朱小姐
无锡固电半导体股份有限公司 15961889159 张小姐
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深圳市百域芯科技有限公司 400-666-5385 林S
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深圳市畅洲科技有限公司 15602440816 吴小姐
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  • IPD50N06S3L-08 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 1.946 1.946
    10 1.808 18.08
    100 1.67 167
    500 1.532 766
    2,500 0.79 1975
    5,000 0 0